更重要的是，PERC電池紅外波段的量子效率顯著提高，尤其在1100~1200nm波段增加的發(fā)電不計(jì)入到標(biāo)稱功率當(dāng)中。因此PERC組件在正常輻照下由于低輻照特性可以多發(fā)電，而在陰雨天以及早晚，相對(duì)常規(guī)組件的多發(fā)電優(yōu)勢(shì)更加明顯。
（2）功率溫度系數(shù)
一方面PERC電池的紅外波段量子效率高，其電流溫度系數(shù)略高；另一方面PERC電池的開(kāi)路電壓更高，電壓溫度系數(shù)（絕對(duì)值）更低。綜合來(lái)看，PERC電池的功率溫度系數(shù)（絕對(duì)值）低于多晶和常規(guī)單晶。
（3）初始光衰
晶硅組件都存在光致衰減（LID）問(wèn)題（從組件廠家的質(zhì)保承諾來(lái)看，首年功率衰減一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼與氧在室外光照后產(chǎn)生的“B-O對(duì)”導(dǎo)致組件功率降低。
采用了PERC技術(shù)后，光生空穴需要運(yùn)行更遠(yuǎn)的距離才能被背電極收集，“B-O對(duì)”與雜質(zhì)、缺陷會(huì)產(chǎn)生更明顯影響，導(dǎo)致5%以上的LID。通過(guò)降低硅片氧含量、改變摻雜劑、對(duì)電池進(jìn)行退火處理等措施，可以將PERC電池的光衰顯著降低，例如單晶PERC組件可以達(dá)到2%以下的首年功率衰減。
目前，在PERC電池技術(shù)方面比較領(lǐng)先的公司有天合光能等。在“領(lǐng)跑者”計(jì)劃中，國(guó)家對(duì)電池組件的效率提出了多晶不低于16.5%，單晶不低于17.5%的目標(biāo)要求，現(xiàn)在天合光能量產(chǎn)的PERC單、多晶電池的效率分別已經(jīng)達(dá)到21.1%和20.16%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)這一要求，走到了行業(yè)前端。目前，天合光能已經(jīng)在黃金線上實(shí)現(xiàn)22.61%電池效率和300W組件功率的穩(wěn)定生產(chǎn)，并即將全面投入量產(chǎn)。
黑硅技術(shù)
黑硅對(duì)光伏行業(yè)來(lái)講，不是一個(gè)新技術(shù)。不過(guò)，黑硅技術(shù)近期的進(jìn)展可能歸結(jié)于兩個(gè)主要因素：第一，金剛線切割能夠大幅度的降低多晶硅片成本，但傳統(tǒng)的酸制絨導(dǎo)致電池效率降低，而黑硅制絨可以很大幅度上解決金剛線切割帶來(lái)了制絨工藝上的困難。第二，黑硅技術(shù)的設(shè)備成本降低，電池和組件端的進(jìn)步也促進(jìn)了該技術(shù)的發(fā)展。
黑硅除了能解決外觀問(wèn)題之外，還能形成奈米級(jí)的凹坑、增加入射光的捕捉量，降低多晶電池片的光反射率以推升轉(zhuǎn)換效率。故金剛線切搭配黑硅技術(shù)的工藝，能同時(shí)兼顧硅片端降本與電池片端提效兩方面。
目前黑硅技術(shù)主要分成干法制絨的離子反應(yīng)法（Reactive Ion Etching，RIE）技術(shù)，以及濕法制絨的金屬催化化學(xué)腐蝕法（Metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE）。
以現(xiàn)有設(shè)備來(lái)看，RIE技術(shù)因效率提升較高、已有量產(chǎn)實(shí)績(jī)等因素較被市場(chǎng)接受，然而其機(jī)臺(tái)價(jià)格昂貴，讓不少欲進(jìn)入者躊躇不前。濕法MCCE方面，雖然機(jī)臺(tái)價(jià)格遠(yuǎn)低于干法制絨，但現(xiàn)有技術(shù)尚未成熟，容易導(dǎo)致外觀顏色不均、轉(zhuǎn)換效率較低、廢液難以回收等議題，目前仍無(wú)法解決。
因此，近兩年黑硅的產(chǎn)能擴(kuò)充將不如PERC當(dāng)年迅速。不過(guò)，為抵御單晶產(chǎn)品步步進(jìn)逼，多晶電池片廠商也會(huì)開(kāi)始采用黑硅技術(shù)，以推升電池效率。隨著金剛線切多晶硅片品質(zhì)趨于穩(wěn)定，黑硅產(chǎn)品也將引燃另一波產(chǎn)業(yè)界的熱烈討論。
MWT組件技術(shù)
MWT（metal Wrap Through金屬穿透）技術(shù)是在硅片上利用激光穿孔技術(shù)結(jié)合金屬漿料穿透工藝將電池片正面的電極引到背面從而實(shí)現(xiàn)降低正面遮光提高電池轉(zhuǎn)換效率的目的。同時(shí)由于該技術(shù)的組件封裝特點(diǎn)，組件的串聯(lián)電阻低，轉(zhuǎn)換效率高；并且可以適用于更薄的硅片，使得進(jìn)一步較大幅度降低成本成為可能。
