據(jù)媒體報道，半導(dǎo)體供應(yīng)鏈表示，臺積電不僅現(xiàn)有制程產(chǎn)能利用率全面回升外，2納米進(jìn)度亦優(yōu)于預(yù)期，首季除了8寸產(chǎn)能利用率緩步回升外，臺積電的12寸產(chǎn)利用率更是到八成以上，尤其是5/4納米制程維持滿載。

　　摩根士丹利基金權(quán)益投資部雷志勇表示，人工智能核心是對高算力芯片需求的提升，高算力芯片的核心技術(shù)變化體現(xiàn)在更先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制程和先進(jìn)封裝;先進(jìn)制程產(chǎn)能當(dāng)前供不應(yīng)求，先進(jìn)封裝滲透率有望跟隨AI算力芯片需求爆發(fā)而保持高增速，同時端側(cè)計算芯片先進(jìn)封裝滲透率也在快速提升。根據(jù)摩根士丹利測算，全球CoWoS產(chǎn)能2023年預(yù)計達(dá)到1.4萬片/月，2024年預(yù)計達(dá)到3.2萬片/月。開源證券表示，先進(jìn)封裝部分核心工藝環(huán)節(jié)，包括凸塊、RDL以及TSV等工藝將使用光刻、刻蝕、電鍍、CMP、沉積等多種前道設(shè)備;原有的后道封裝設(shè)備包括固晶機(jī)、切片機(jī)等隨著技術(shù)迭代，產(chǎn)品需進(jìn)行改進(jìn)和優(yōu)化。