11月22日，北京智芯微電子科技有限公司牽頭申報的項目《中高壓電力芯片退化失效機理及可靠性提升關(guān)鍵技術(shù)研究》及參與申報的項目《高效高密度電源隔離變壓器功率收發(fā)專用芯片關(guān)鍵技術(shù)研究》《大功率高密度無線充電SoC芯片關(guān)鍵技術(shù)研究》獲批國家自然科學(xué)基金區(qū)域創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)合基金項目。《中高壓電力芯片退化失效機理及可靠性提升關(guān)鍵技術(shù)研究》項目將開展多物理場下芯片退化機理研究、可靠性模型搭建及協(xié)同優(yōu)化設(shè)計方法研究，揭示電磁熱多物理場環(huán)境量值與芯片電參數(shù)退化之間的定量關(guān)系。這是智芯公司牽頭申報的項目首次獲批國家自然科學(xué)基金項目。該公司參與申報的兩個項目將開展相關(guān)技術(shù)攻關(guān)。